Scheda di dettaglio

 

Random Acces Memory based in Ferromagnetic Insulator and Superconductor heterojunctions (Proximity RAM)

La presente invenzione è costituita da un dispositivo costituito da una matrice di celle di memoria ad accesso casuale (RAM) da utilizzare per computer quantistici e classici. Ogni cella è composta da uno stack di FI-S-I-S-FI, dove FI è un isolante ferromagnetico, S è un superconduttore e I è una barriera tunnel. Questi dispositivi sfruttano due effetti fisici combinati: l'effetto di prossimità magnetica e l'effetto di valvola di spin assoluta.

 
 


Inventori

  • GIAZOTTO FRANCESCO
  • STRAMBINI ELIA
  • DE SIMONI GIORGIO
  • Bergeret Sebastian
  • BergeretsBABARO null
 
 


TitolaritÀ

  • Consiglio Nazionale delle Ricerche
  • Universidad del Pais Vasco
  • (SPANISH NATIONAL RESEARCH COUNCIL)
 
 


Classificazioni

 
 


Settore Tecnologico

 
 


Keyword

  • Random Access Memory (RAM), Josephson junction, Superconductive electronics, Spintronics, Spin valve, Classical computer, Quantum computer.
 
 


Vantaggi

• I principali vantaggi dell’invenzione risiedono nella natura superconduttiva del dispositivo che implica o Alta efficienza energetica in termini di calore dissipato ed energia assorbita o Elevata frequenza di funzionamento (nel range delle 10 di GHz) o Non volatilità della memoria o Compatibilità con le tecnologie di computazione basate su materiali superconduttivi. o Possibilità di elevata integrazione (che porta ad un aumento dell’informazione immagazzinata per unità di volume) • Il principale svantaggio è la necessità di operare il dispositivo a temperature criogeniche. A questo proposito però è bene sottolineare come l’odiena disponibiltà di tecniche di refrigerazione a ciclo chiuso di He rendano assolutamente accettabile questo inconveniente, soprattutto se inteso come dispositivo destinato a grandi infrastrutture (data center).

 
 


Applicazioni

1) L’individuazione di dispositivi di memoria affidabili per i computer a superconduttore. Queste tecnologie emergenti richiedono una drastica riduzione del consumo energetico e del calore dissipato che è uno dei principali fattori limitanti nelle tecnologie di calcolo attuali. 2) Individuazione di strutture semplici e compatibili con le tecnologie di produzione. La complessità costruttiva rende alcune delle opzioni attualmente disponibili non valide (vedi sotto). 3) Migliorare la densità di integrazione. Densità più elevate permettono di avere maggiori quantità di memoria disponibile nello stesso spazio, aumentando così le prestazioni complessive di calcolo.

 

fonte dati: "Gestione Trovati" | brevetti.cnr.it | www.cnr.it | Consiglio Nazionale delle Ricerche | P.le Aldo Moro, 7 | 00185 Roma